На конференции Flash Memory Summit, проходившей недавно в Калифорнии и посвященной разным вопросам, связанным с флэш-памятью, компания Samsung представила вниманию общественности новую технологию флэш-памяти с трехмерным размещением ячеек (V-NAND). Помимо самой технологии представители Samsung
На конференции Flash Memory Summit, проходившей недавно в Калифорнии и посвященной разным вопросам, связанным с флэш-памятью, компания Samsung представила вниманию общественности новую технологию флэш-памяти с трехмерным размещением ячеек (V-NAND). Помимо самой технологии представители Samsung продемонстрировали опытные чипы V-NAND памяти, емкостью в 1 терабит, и несколько типов твердотельных SSD-накопителей на основе этих чипов.
Согласно имеющейся информации массовое производство терабитных чипов V-NAND флэш-памяти начнется уже в следующем году. Помимо самих чипов компания Samsung разработала высокопроизводительный универсальный контроллер памяти, который способен объединить в один массив, емкостью в 2 терабайта, 16 терабитных чипов. Для справки, емкости такого массива достаточно для хранения до 70 высококачественных двухчасовых фильмов
Параллельно с началом выпуска терабитных чипов V-NAND флэш-памяти, компания Samsung начнет производство 16-терабитных твердотельных накопителей NGSFF SSD. Размеры этих накопителей будут равны 30.5 x 110 x 4.38 мм и они ориентированы на применение в стоечных серверах форм-фактора 1U.
{full-story limit=»10000″}
Источник:
